tomshardware.com'da yer alan habere göre, Kioxia ve Sandisk, ortak geliştirdikleri 10. Nesil BiCS 3D TLC NAND belleğinin örnek üretimine başladıklarını açıkladı. 332 aktif katmandan oluşan yeni bellek teknolojisi, yüksek depolama yoğunluğu ve performansıyla özellikle veri merkezi uygulamalarını hedefliyor.
Şirketlerin verdiği bilgilere göre BiCS10, 29 Gb/mm²’nin üzerinde depolama yoğunluğuna ulaşırken, 4.800 MT/s veri aktarım hızına da destek veriyor. Bu özellikleri sayesinde yeni nesil belleğin PCIe 5.0 ve PCIe 6.0 arayüzüne sahip kurumsal SSD’lerde yüksek performans sunması amaçlanıyor.
Veri merkezleri öncelikli kullanım alanı olacak
Önceki BiCS nesillerinden farklı olarak 10. Nesil BiCS belleğin doğrudan veri merkezi sınıfı depolama çözümleri için geliştirildiği belirtildi. Şirket, bu nesilde maliyet yerine depolama yoğunluğu ve performansa öncelik verildiğini açıkladı.
Kioxia ve Sandisk, istemci tarafındaki ürünlerde ise BiCS9 NAND teknolojisini kullanmaya devam etmeyi planlıyor. Bu nedenle BiCS10’un ilk etapta tüketici SSD’lerinde yer alması öngörülmüyor.
Şirketler, yüksek performanslı tüketici SSD’lerinde BiCS10 kullanımının ise ilerleyen dönemde arz ve talep koşullarına bağlı olarak değerlendirilebileceğini ifade ediyor.
Depolama yoğunluğunda yüzde 59 artış
Yeni nesil BiCS10 bellekte depolama yoğunluğunun önceki nesillere göre yüzde 59 artırıldığı açıklandı. Böylece alan başına depolama kapasitesi 29 Gb/mm² seviyesinin üzerine çıktı.
Bu artışın özellikle veri merkezlerinde daha yüksek kapasiteli SSD’lerin daha küçük fiziksel alanlarda üretilebilmesine katkı sağlaması hedefleniyor.
Okuma gecikmesi ve enerji tüketimi azaltıldı
Kioxia’nın paylaştığı teknik verilere göre yeni bellek yalnızca kapasite tarafında değil, performans ve enerji verimliliğinde de önemli iyileştirmeler sunuyor.
Şirket, okuma gecikmesinin yaklaşık 4 mikrosaniye azaldığını ve bunun yaklaşık yüzde 10’luk bir iyileşmeye karşılık geldiğini belirtti.
Enerji tüketiminde ise gigabayt başına yaklaşık 100 milijul seviyesinden 75 milijule düşüş sağlandığı, bunun da yaklaşık yüzde 25 oranında tasarruf anlamına geldiği ifade edildi.
Yeni okuma yöntemi performansı artırıyor
Bu kazanımların temelinde tamamen yeniden tasarlanan okuma yöntemi bulunuyor.
Geleneksel NAND belleklerde her okuma işleminden sonra kelime hatları tamamen topraklama seviyesine (VSS) indiriliyor. Yeni BiCS10 mimarisinde ise sürekli okuma işlemleri sırasında bu hatlar tamamen boşaltılmıyor.
Bunun yerine voltaj önce ara bir seviyeye düşürülüyor, ardından bir sonraki okuma işlemi öncesinde tekrar okuma voltajı seviyesine yükseltiliyor. Böylece her işlemde daha kısa voltaj değişimi gerçekleşiyor.
Sürekli okuma işlemlerinde avantaj sağlıyor
Şirket, bu yöntemin özellikle uzun süreli ve ardışık okuma işlemlerinde önemli avantaj sağladığını belirtiyor.
332 katmanlı yüksek yapıya sahip NAND belleklerde uzun kelime hatlarının yeniden şarj edilmesi normal şartlarda hem gecikmeyi hem de enerji tüketimini artırıyor.
Yeni sistem sayesinde kelime hatlarının yeniden şarj edilmesi daha kısa sürede gerçekleşirken daha az akım kullanılıyor. Bu da hem performansı yükseltiyor hem de enerji verimliliğini artırıyor.
Kioxia, özellikle bulut hizmetleri gibi sürekli okuma ağırlıklı iş yüklerinde bu mimarinin önemli avantaj sağlayacağını vurguluyor.
